N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ520N15NS3GATMA1

RS庫存編號:: 754-5389P
製造零件編號:: BSZ520N15NS3GATMA1
製造商:: Infineon

N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ520N15NS3GATMA1

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製造零件編號:: BSZ520N15NS3GATMA1
製造商:: Infineon

MOSFET N-ch 150V 21A OptiMOS3 TSDSON8
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	21 A
Maximum Drain Source Voltage	150 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	TSDSON
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	52 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	57 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	3.4mm
Transistor Material	Si
Length	3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Height	1.1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ520N15NS3GATMA1

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Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

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