製造零件編號

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

RS庫存編號:: 244-5835
製造零件編號:: FP50R12KE3BOSA1
製造商:: Infineon

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

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RS庫存編號:: 244-5835
製造零件編號:: FP50R12KE3BOSA1
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	75A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	280W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	FP50R12KE3
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 75A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 280W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series FP50R12KE3
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FP50R12KE3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.30 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

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