IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 115 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN140N20P

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

查看所有MOSFETs
可享批量折扣

小計（1 件）*

HK$224.80

Add to Basket
選擇或輸入數量
暫時缺貨
  • 從 2026年9月28日 發貨
**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
1 - 2HK$224.80
3 +HK$220.30

* 參考價格

包裝方式：
RS庫存編號:
193-616
Distrelec 貨號:
302-53-362
製造零件編號:
IXFN140N20P
製造商:
IXYS
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

115A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.42 mm

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

相关链接