STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Channel, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7

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RS庫存編號:
671-932
製造零件編號:
SCT018H65G3-7
製造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

STPOWER Gen3 SiC MOSFET

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

18V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.8mm

Width

10.4mm

Standards/Approvals

No

Length

15.25mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

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