ROHM N channel-Channel MOSFET, 280 A, 40 V, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1G10BBGTL1

N

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣
查看批量定價選項

小計(1 組,共 2 件)*

HK$81.29

Add to Basket
選擇或輸入數量
新產品 - 立即預訂
  • 2026年6月26日 發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位
每單位
每膠帶*
2 - 18HK$40.645HK$81.29
20 - 98HK$35.79HK$71.58
100 +HK$28.865HK$57.73

* 參考價格

包裝方式:
RS庫存編號:
780-361
製造零件編號:
RJ1G10BBGTL1
製造商:
ROHM
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

280A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263AB-3LSHYAD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.85mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

210nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.36mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

8.9mm

Height

4.77mm

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive and industrial power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for high-voltage applications, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments.

Drain to source voltage of 100 V

Continuous drain current of 12 A

Compact DFN2020Y package

Automotive AEC-Q101 qualification

相关链接

第一時間了解我們的最新產品和優惠

電郵

您在訂閱此郵件時提供的個人信息將根據《隱私政策》進行處理。