Vishay SiHG052N60EF Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG052N60EF-GE3

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣
查看批量定價選項

小計(1 包,共 5 件)*

HK$285.50

Add to Basket
選擇或輸入數量
暫時缺貨
  • 2026年11月13日 發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位
每單位
每包*
5 - 120HK$57.10HK$285.50
125 - 245HK$55.68HK$278.40
250 +HK$54.82HK$274.10

* 參考價格

包裝方式:
RS庫存編號:
204-7207
製造零件編號:
SIHG052N60EF-GE3
製造商:
Vishay
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHG052N60EF

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

101nC

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

15.87mm

Height

20.7mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

相关链接

第一時間了解我們的最新產品和優惠

電郵

您在訂閱此郵件時提供的個人信息將根據《隱私政策》進行處理。