Vishay SiHB068N60EF Type N-Channel MOSFET, 41 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB068N60EF-GE3

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計(1 包,共 5 件)*

HK$208.70

Add to Basket
選擇或輸入數量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

單位
每單位
每包*
5 - 745HK$41.74HK$208.70
750 - 1495HK$40.72HK$203.60
1500 +HK$40.08HK$200.40

* 參考價格

包裝方式:
RS庫存編號:
204-7244
製造零件編號:
SIHB068N60EF-GE3
製造商:
Vishay
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

41A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

SiHB068N60EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

68mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

14.61mm

Height

4.06mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Avalanche energy rated (UIS)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

相关链接

第一時間了解我們的最新產品和優惠

電郵

您在訂閱此郵件時提供的個人信息將根據《隱私政策》進行處理。