Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB70N10S312ATMA1

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RS庫存編號:
217-2507
製造零件編號:
IPB70N10S312ATMA1
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

129W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Forward Voltage Vf

900mV

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.31mm

Standards/Approvals

No

Height

4.57mm

Width

9.45mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 100V, N-Ch, 11.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

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