Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 70.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR880BDP-T1-RE3

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包裝方式：
RS庫存編號:
228-2914
製造零件編號:
SiR880BDP-T1-RE3
製造商:
Vishay
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品牌

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

70.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

71.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 80 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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