Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263 IPB60R299CPAATMA1
- RS庫存編號:
- 258-3809
- 製造零件編號:
- IPB60R299CPAATMA1
- 製造商:
- Infineon
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- RS庫存編號:
- 258-3809
- 製造零件編號:
- IPB60R299CPAATMA1
- 製造商:
- Infineon
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產品詳細資訊
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選取全部 | 屬性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 選取全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS power transistor is high peak current capability, its automotive AEC Q101 qualified.
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
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