製造零件編號

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 483 A, 100 V Enhancement TO-247 IRF100P218AKMA1

RS庫存編號:: 258-3951
製造零件編號:: IRF100P218AKMA1
製造商:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 483 A, 100 V Enhancement TO-247 IRF100P218AKMA1

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RS庫存編號:: 258-3951
製造零件編號:: IRF100P218AKMA1
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	483A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.28mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 483A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-247
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.28mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF100P218AKMA1

The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

UPS and Inverter applications

Half-bridge and full-bridge topologies

Resonant mode power supplies

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