Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7451TRPBF

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包裝方式:
RS庫存編號:
262-6734
製造零件編號:
IRF7451TRPBF
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

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