製造零件編號

Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1.2 kV

Name: Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1.2 kV
Brand: Infineon
SKU: 244-5374
Availability: InStock

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1.2kV
	Maximum Power Dissipation Pd	515W
	Number of Transistors	7
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	122mm
	Height	17mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	FP100R12KT4B11
	Width	62mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV
	Maximum Power Dissipation Pd 515W
	Number of Transistors 7
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 122mm
	Height 17mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series FP100R12KT4B11
	Width 62mm
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and servo drives etc.

Electrical features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

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