Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V

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包裝方式:
RS庫存編號:
244-5380
製造零件編號:
FP100R12KT4BOSA1
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

515W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

FP100R12KT4

Width

62mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

17mm

Length

122mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.27 nF

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