Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣
查看批量定價選項

小計(1 管,共 75 件)*

HK$865.20

Add to Basket
選擇或輸入數量
暫時缺貨
  • 2027年1月25日 發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位
每單位
每管*
75 - 75HK$11.536HK$865.20
150 - 225HK$11.285HK$846.38
300 +HK$11.036HK$827.70

* 參考價格

RS庫存編號:
188-4879
製造零件編號:
SIHU4N80AE-GE3
製造商:
Vishay
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

IPAK

Series

SiHU4N80AE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.44Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

相关链接

第一時間了解我們的最新產品和優惠

電郵

您在訂閱此郵件時提供的個人信息將根據《隱私政策》進行處理。