製造零件編號

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V Enhancement, 3-Pin IPAK

RS庫存編號:: 262-6780
製造零件編號:: IRFU4615PBF
製造商:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V Enhancement, 3-Pin IPAK

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RS庫存編號:: 262-6780
製造零件編號:: IRFU4615PBF
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	IPAK
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	42mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26nC
	Maximum Power Dissipation Pd	144W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type IPAK
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC
	Maximum Power Dissipation Pd 144W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFU4615PBF

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

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