Infineon iPB N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement TO-263 IPB180N10S403ATMA1

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

查看所有MOSFETs
可享批量折扣
查看批量定價選項

小計（1 件）*

HK$45.90

Add to Basket
選擇或輸入數量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

單位
每單位
1 - 9HK$45.90
10 - 99HK$43.70
100 - 249HK$41.10
250 - 499HK$38.10
500 +HK$35.10

* 參考價格

包裝方式：
RS庫存編號:
258-3803
製造零件編號:
IPB180N10S403ATMA1
製造商:
Infineon
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

相关链接