Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N10S402ATMA1

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣
查看批量定價選項

小計(1 件)*

HK$51.70

Add to Basket
選擇或輸入數量
有庫存
  • 988 件準備從其他地點送貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位
每單位
1 - 49HK$51.70
50 - 99HK$46.80
100 - 249HK$38.60
250 - 499HK$37.90
500 +HK$33.70

* 參考價格

包裝方式:
RS庫存編號:
260-5122
製造零件編號:
IPB180N10S402ATMA1
製造商:
Infineon
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

相关链接

第一時間了解我們的最新產品和優惠

電郵

您在訂閱此郵件時提供的個人信息將根據《隱私政策》進行處理。