Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 100 A, 120 V Enhancement TO-263 IPB100N12S305ATMA1

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包裝方式:
RS庫存編號:
258-3796
製造零件編號:
IPB100N12S305ATMA1
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

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